Intel 4被曝研发成效顺利：今年下半年开始量产，明年出成品

惠普自从14nmDRAM更新至10nm以后，DRAM上的研发似乎技术改造不少，在12代酷睿AMD上上架了Intel 7材料DRAM，随后；还有13代酷睿AMD。而惠普的14代酷睿AMD预计未来会是惠普近几年改善略微最大的十代，同样DRAM就从Intel 7改善到Intel 4DRAM，而相对来说Intel 7DRAM，Intel 4材料DRAM在重工性能上改善不少，而且未来会在今年下半年开始投产。

据称根据惠普提供者的消息，Intel 4DRAM可以提供者每平方毫米1.6亿个二极管，与目前的Intel 7相比改善1倍，而且也超过了台积电5nm的每平方毫米1.3亿个二极管，如果高的二极管运动速度也带来了极为抢眼的重工性能，同样相对来说Intel 7，Intel 4的阈值改善略微达到了21.6%，而耗电量则降低了40%，应该在耗电比上改善远比明显。甚至在一定程度上，基于Intel 4DRAM的14代酷睿AMD在耗电比上能够和M2AMD掰手腕。

相对来说13代酷睿AMD，14代酷睿AMD在DRAM架构上改善明显，未来会首次转用多显卡组合的方式而，这些显卡单元也将转用不同的材料DRAM，与AMD的Zen 5类似，据称计算单元未来会转用Intel 4，I/O单元转用Intel 7，至于核显计算单元则转用台积电6nmDRAM。